DDR内存的数据带宽是传统PC100或PC133 SDRAM的两倍，并且特别适用于对CPU内存性能要求极高的高性能服务器和工作站。正如其名，DDR SDRAM是双倍数据速率SDRAM。一个时钟周期可表示为一个方波，“0”到“1”之间为上升缘，“1”到“0”之间为下降缘。在SDRAM中，只使用其中一个缘，但DDR SDRAM使用两个缘，使数据传输率提高了两倍。

此为DDR-266 CL2小型内存模组。该模组密度从256MB到1GB，由DDR2-266 MHz同步DRAM组成，用于安装在200脚侧边卡连接器插槽中。

JEDEC Standard

DDR Speed Grade : 266Mbps

SO-DIMM : 200-pin

Memory Organization : x8 , x16 DRAM chip

DDR DRAM interface : SSTL_25

CAS latency : 2-3-3

Bandwidth : 2100MB/s

VDD voltage : 2.5+-0.2V

VDDQ voltage : 2.5+-0.2V

Standard OP Temp.: 0℃~+70℃

Serial presence detect with EEPROM

PCB height : 1.181 inch

RoHS Compliant

Application : NoteBook