批量K4B4G1646E-BYMA三星DDR3芯片
产品概述
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制造商IC编号 |
K4B4G1646E-BYMA |
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厂牌 |
SAMSUNG/三星 |
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IC 类别 |
DDR3 SDRAM |
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IC代码 |
256MX16 DDR3L |
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共通IC编号 |
K4B4G1646E-BYMATCV |
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K4B4G1646E-BYMAT00 |
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K4B4G1646E-BYMA0CV |
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K4B4G1646E-BYMA000 |
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K4B4G1646E-BYMAT |
产品详情
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脚位/封装 |
FBGA-96 |
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外包装 |
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无铅/环保 |
无铅/环保 |
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电压(伏) |
1.35v |
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温度规格 |
0°C~+85°C |
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速度 |
1866(MT/S) |
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标准包装数量 |
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标准外箱 |
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潜在应用 |
· TELEPHONE/ANSWER MACHINE/電話/答錄機 |
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Number Of Words |
256M |
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Bit Organization |
x16 |
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Density |
4G |
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Internal Banks |
8 Banks |
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Generation |
6th Generation |
