极限真空PVT碳化硅晶体半导体SIC长晶炉

      第三代半导体长晶炉采用物理气相传输法（PVT）生长各种尺寸、高质量SIC单晶。广泛用于半导体、智能汽车、光伏等多个领域。

技术特点

1可生长的碳化硅晶体尺寸：4英寸、6英寸、8英寸，每种尺寸规格的设备对应生长一种尺寸的晶体；

2极限真空：由于5*10E-4Pa；

3压升率：优于0.3Pa/H（参照GB/T1164-2011测试方法）；

4加热温度：2600℃（MAX)；

5精度：优于+/-0.05%

产品详情

       深圳市星海威真空设备有限公司是上市公司深圳市新益昌科技股份有限公司投资成立的子公司。公司主要从事新能源/新材料､ 光电/半导体芯片､ 航空航天等行业的核心真空装备的研发和制造，致力于为客户提供高品质的真空设备和服务。

      QVD技术（量子薄膜沉积）涉及领域有： 第三代半导体的长晶炉、处延；各种光学光电薄膜；Topcon、HJT、钙钛矿等光伏设备。

联系人：段先生

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