疏水纳米二氧化硅 KH570改性KH550双亲偶联剂氧化硅

型号

表面特性

氧化硅

处理材料

改性方式

含量

改性前粒径nm

比表m2/g

灼烧减量

CY-S10C

双亲

沉淀

KH550硅烷

3-氨基丙基三乙氧基硅烷

≥99%

≤20

150±20

≤10%

CY-S10D

疏水

沉淀

KH570硅烷

硅烷偶联剂A-174

≥99%

≤30

150±20

≤10%

CY-S10E

疏水

沉淀

硅氮烷

六甲基二硅氮烷

≥99%

≤40

140±20

≤10%

CY-S10F

疏水

气相

聚二甲基硅氧烷改性

聚二甲基硅氧烷

≥99%

≤20

120±20

≤10%