伯东企业（上海）有限公司

上海伯东 Gel-Pak 提供 VCSEL 芯片生产使用的 DGL 胶膜和真空释放托盘

改进晶圆制造工艺, 探索蚀刻终点的上海伯东 Aston™ 质谱仪凭借高灵敏度为刻蚀工艺提供解决方案.

上海伯东销售维修德国 Pfeiffer 氦质谱检漏仪 ASM 340, 提供快速维修, 保养, 清洁, 校准服务, 依据德国 Pfeiffer 维修保养准则, 针对每个客户, 提出检漏仪 ASM 340 定期保养维护方案, 有效延长其使用寿命.

上海伯东客户某高校使用国产品牌离子束溅射镀膜机用于金属薄膜制备, 工艺過程中, 国产离子源钨丝仅使用 18个小时就会烧断, 需要中断镀膜工艺更换钨丝, 无法满足长时间离子束溅射镀膜的工艺要求, 导致薄膜质量低的情况. 客户需要离子源的稳定工作时间不低于 48个小时, 经过伯东推荐最终改用美国 KRi 射频离子源 RFICP 100 替换原有的国产离子源, 单次工艺时间可以达到数百小时, 完全符合客户长时间镀膜的工艺要求, 维持高稳定离子束溅射工艺获得高品质薄膜.

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD.

上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 系列, 提供高电流低能量宽束型离子束, KRi 霍尔离子源可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护, 安装于各类真空设备中, 例如 e-beam 电子束镀膜机, load lock, 溅射系统, 分子束外延, 脉冲激光沉积等, 实现 IBAD 辅助镀膜的工艺.

通过使用上海伯东美国 KRi 离子源可实现基板清洁和加速镀膜材料的溅射速度, 并且离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密, 膜基附着力更好, 膜层不易脱落. 其中射频离子源提供高能量, 低浓度的离子束, 离子源单次工艺时间更长, 适合多层膜的制备和离子溅镀镀膜工艺.

上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 40 成功应用于氧化物薄膜及异质结制备系统, 协助客户完成 MgO, Y2O3, Al2O3 等金属氧化物在 6寸单晶硅上均匀沉积多层膜的需要, 单晶硅镀氧化薄膜的工艺过程, 用于研发磁学薄膜, 半导体薄膜, 光学薄膜和高温超导薄膜等.

上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大口径射频离子源 RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE 离子束蚀刻机, 实现 300mm 和 200 mm 硅片蚀刻, 刻蚀 均匀性（1 σ）达到< 1%. KRi 离子源可以用来刻蚀任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体, 超导体等.

上海伯东美国 Gel-Pak 新产品 Gel-ProbeTM 胶膜提供了探针台清洁应用的有效解决方案. Gel-Pak 研发的探针抛光和除碎屑胶膜, 可以广泛应用在探针台参数测试和原片测试中, 延长探针卡使用寿命的同时, 也提升产率并减少停机时间.

上海伯东 Hakuto 日本原装设计制造离子束刻蚀机 IBE (离子蚀刻机) 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 纳米级别材料的表面刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%. 几乎满足所有材料的刻蚀. 例如磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 广泛应用于 RF 射频器件, MEMS 传感器, 磁性 …, 满足研发和量产需要. IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料.

上海伯东离子束刻蚀机 IBE 可以很好的解决传感器 MEMS 的刻蚀难题, 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状, 刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料.

上海伯东德国 Pfeiffer 氦质谱检漏仪 ASM 340 提供 CT 医用诊断旋转阳极 X射线管 (又称球管) 和管组件的密封性检漏方案, 作为 CT设备的 X射线源, 球管是 CT 系统影像链的核心耗材, 它的性能直接影响了 CT的使用寿命. 不论是 X射线管还是管组件, 都需要在真空环境下工作.