半导体功率器件静态测试设备

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<strong><span>半导体功率器件静态测试设备</span></strong><span>特点和优势： </span>
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<span>单台Z大3500V输出； </span>
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<span>单台Z大1000A输出，</span>
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<span>可并联后Z大4000A； </span>
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<span>15us的超快电流上升沿； </span>
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<span>同步测量； </span>
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<span>国标全指标的自动化测试；详询一八一四零六六三四七六</span>
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<span><img src="https://image.ibicn.com/www/202209/09/20007031501991352.jpg" alt=""><br>
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<span>可测项目 </span>
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<span>集电极-发射极电压Vces，</span><span>集电极-发射极击穿电压V(br)ces </span>
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<span>集电极-发射极饱和电压Vcesat </span>
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<span>集电极电流Ic，</span><span>集电极截止电流Ices </span>
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<span>栅极漏电流Iges，栅极-发射极阈值电压Vge(th) </span>
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<span>栅极电阻Rg </span>
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<span>电容测量 </span>
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<span>I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等 </span>
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<span>普赛斯<strong>半导体功率器件静态测试设备</strong>集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流J准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。</span><span></span>
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