USB 3.1-防静电&过电流保护DL0506PA，AZ1065-06F

USB 3.1-防静电&过电流保护DL0506PA    Low-Capacitance ESD Protection  DFN4120P10E AZ1065-06F   LXESEABAA6-046 

低电容二极管，有超低通道间的电容减少串音，且在一个封装内满足 IEC 61000-4-2 高达10 kV 接触放电等级的 ESD 保护的单一解决方案。

特别针对USB3.0的防护需求，推出 DL0506PA系列的ESD防护组件。为避免防护组件的寄生电容影响USB3.0 4.8Gbps差动(Differential)讯号的高速传输， DL0506PA的寄生电容已低于0.3pF。在极低的电容特性下，任一接脚在室温时仍皆可承受IEC 61000-4-2接触模式10kV ESD的轰击。最重要是，以相同寄生电容来比较，106拥有最低的ESD箝制电压，可有效防止数据传输时被ESD事件所干扰，才能让拥有USB 3.0端口的电子系统有机会通过Class-A的IEC 61000-4-2系统级静电放电保护测试。利用传输线脉冲系统(TLP)测量DL0506PA后，可以观察到如图一的ESD箝制电压特性。在IEC 61000-4-2接触模式6kV的ESD冲击下(TLP电流等效约为17A)，箝制电压仅有13.4V，将得以有效避免系统产品于静电测试时发生数据错误、当机甚至损坏的情况。

设备为高速数据端口提供 ESD 保护。TVS 阵列满足 IEC 61000-4-2（级别 4）要求且与 USB 3.1 兼容。小型 DFN10 封装输入/输出线路之间具有超低电容（通常仅为 0.02 pF），这使其特别适用于高速接口。